全球最大的代工合同制造商是臺積電(TSMC)。該公司為自己設計但沒(méi)有生產(chǎn)設備的公司生產(chǎn)芯片。用于制造芯片的設備非常復雜且非常昂貴。例如，臺積電計劃今年在資本支出上支出150億美元。臺積電的主要客戶(hù)包括蘋(píng)果，高通和華為。

臺積電明年開(kāi)始風(fēng)險生產(chǎn)3nm工藝節點(diǎn)

今年，蘋(píng)果和華為將分別交付其最先進(jìn)的芯片組，分別為A14 Bionic和HiSilicon Kirin 1020。兩者都將使用臺積電的5nm工藝節點(diǎn)制造，這意味著(zhù)組件內部的晶體管數量將增加約77%。這使得這些芯片比它們所替代的7nm芯片更強大，更節能。由于美國新的出口規定，臺積電將從9月下旬開(kāi)始無(wú)法向華為發(fā)貨組件。美國禁止任何使用美國技術(shù)的晶圓代工廠(chǎng)在未獲得許可的情況下將半導體運送給華為。該晶圓代工廠(chǎng)幾天前表示，它將不會(huì )在9月14日之后將晶圓運送給華為。臺積電首席執行官劉銘文尚未評論他是否會(huì )嘗試從美國獲得許可，以允許它繼續與中國制造商開(kāi)展業(yè)務(wù)。

通常，芯片內的晶體管越多，功率和能效就越高。大約每隔一年，晶體管密度將增加近一倍，從而使公司可以設計功能更強大的組件。例如，蘋(píng)果A14 Bionic內部將有150億個(gè)晶體管，而A13 Bionic內部有85億個(gè)晶體管，而A12 Bionic則有69億個(gè)晶體管。如果一切按計劃進(jìn)行，Apple iPhone 12系列將是首款采用5nm芯片組供電的手機。

臺積電將發(fā)布的首款5nm Snapdragon芯片有望成為Snapdragon 875移動(dòng)平臺。該芯片組將為2021年上半年的大多數Android旗艦提供動(dòng)力，并將包括ARM的新超級內核Cortex X1。后者可以使使用ARM Cortex-A77內核的芯片性能提高30%。但是，最近的一份報告表明，臺積電的主要競爭對手三星鑄造公司將使用其5nm EUV工藝生產(chǎn)Snapdragon 875G。EUV或極紫外光刻技術(shù)使用極細的紫外光蝕刻芯片上的圖案，以顯示應該將晶體管放置在何處。

臺積電表示，將在美國建立一家工廠(chǎng)，該工廠(chǎng)將于2023年開(kāi)始生產(chǎn)。但是，據報道，它將在生產(chǎn)時(shí)生產(chǎn)5nm芯片，這將比3nm組件落后一代，該3nm組件將在臺積電的組裝線(xiàn)上下線(xiàn)。它在亞洲的工廠(chǎng)。

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現在臺積電正在展望3nm模式。據MyDrivers稱(chēng)，代工廠(chǎng)計劃明年在3nm工藝節點(diǎn)開(kāi)始風(fēng)險生產(chǎn)。正如我們在四月指出的那樣，這些是代工廠(chǎng)生產(chǎn)的芯片，制造商愿意購買(mǎi)它們而無(wú)需通過(guò)標準測試程序。臺積電表示，其3nm芯片的性能將提高10%至15%，能源效率提高20%至25%。今天的報告提到，蘋(píng)果的A16芯片(將于2022年發(fā)貨)將使用3nm工藝節點(diǎn)制造。

臺積電最初計劃將3nm工藝節點(diǎn)的使用FinFET晶體管轉變?yōu)镚AA(全能門(mén))。但是代工廠(chǎng)已經(jīng)決定繼續使用FinFET來(lái)控制流經(jīng)晶體管的電流，直到準備好轉移到2nm節點(diǎn)為止。