臺積電(TSMC)今天開(kāi)始了其第26屆技術(shù)研討會(huì )活動(dòng)，首先是對該公司即將推出的處理器技術(shù)的期待。該公司討論了其5nm節點(diǎn)-N5和N5P，4nm N4節點(diǎn)和3nm N3節點(diǎn)，它們將在未來(lái)幾年內投放市場(chǎng)。
N5節點(diǎn)已經(jīng)投入量產(chǎn)，并且利用了EUV技術(shù)。與當前的N7節點(diǎn)相比，它有望將功耗降低30%或將性能提高15%，并將邏輯密度提高1.8倍。該工藝節點(diǎn)現已投入批量生產(chǎn)，因此在不久的將來(lái)看到基于該工藝節點(diǎn)的產(chǎn)品也就不足為奇了。
臺積電還在開(kāi)發(fā)一種增強型5nm節點(diǎn)N5P，并計劃在2021年提高產(chǎn)量。與N5節點(diǎn)相比，這將使功耗降低10%或性能降低5%。這樣設計該節點(diǎn)是為高性能應用程序。
N5的最大后繼產(chǎn)品是T3的3nm節點(diǎn)N3，它將在2021年下半年進(jìn)入風(fēng)險生產(chǎn)階段，并計劃在2022年進(jìn)入大批量生產(chǎn)。再次，這一過(guò)渡有望使電源效率比N5提高25%至30%，效果提高了10%到15%。臺積電還計劃在2021年下半年進(jìn)行風(fēng)險生產(chǎn)，并在2022年實(shí)現量產(chǎn)，這是一個(gè)4納米節點(diǎn)N4，但對其性能改進(jìn)的說(shuō)法并不多。但是，它應該使從N5節點(diǎn)的遷移更加容易。
臺積電并不是唯一一家將3nm節點(diǎn)推向市場(chǎng)的代工廠(chǎng)，三星表示已計劃在2021年將其自己的3nm節點(diǎn)推向市場(chǎng)。臺積電為其3nm節點(diǎn)堅持使用FinFET。
臺積電顯然也在尋求超越硅的可能性，因為它試圖超越3nm節點(diǎn)。該公司沒(méi)有指出任何具體計劃，但提到了諸如納米片和納米線(xiàn)之類(lèi)的技術(shù)，并表示除了硅以外，它還有其他一些材料可以使通道厚度小于1nm。當然，這些計劃目前仍遙遙無(wú)期。
