三星高級技術(shù)學(xué)院(SAIT)的研究小組宣布，與蔚山國立科學(xué)技術(shù)學(xué)院(UNIST)和劍橋大學(xué)合作，發(fā)現了新材料-非晶氮化硼(a-BN)。

這家韓國巨頭聲稱(chēng)有可能加速下一代半導體的出現。非晶氮化硼(a-BN)由具有非晶分子結構的硼和氮原子組成。

三星表示，無(wú)定形氮化硼是由白色石墨烯衍生而成的，其中包括以六角形結構排列的硼和氮原子，而a-BN的分子結構使其與白色石墨烯具有獨特的區別。

非晶氮化硼具有1.78的同類(lèi)最佳的超低介電常數，具有強大的電氣和機械性能，可以用作互連隔離材料以最大程度地減少電干擾。

該材料還可以在僅400°C的低溫下以晶圓級生長(cháng)。因此，這種新發(fā)現的材料有望廣泛應用于半導體，例如DRAM，NAND解決方案，用于大型服務(wù)器的下一代存儲解決方案。

三星技術(shù)研究院(SAIT)一直在研究和開(kāi)發(fā)二維(2D)材料-具有單原子層的晶體材料。它一直致力于石墨烯的研究和開(kāi)發(fā)，并在該領(lǐng)域取得了開(kāi)創(chuàng )性的研究成果。SAIT一直在努力加速材料的商業(yè)化。