很多朋友不知道【三星計劃恢復建設平澤第五工廠(chǎng) 為下一代HBM準備產(chǎn)能】，今天小綠就為大家解答一下。

為提前向英偉達供應HBM4，三星計劃在平澤第四工廠(chǎng)（P4）空置產(chǎn)線(xiàn)導入10納米級第六代（1c）DRAM工藝，以行業(yè)最先進(jìn)制程量產(chǎn)HBM4專(zhuān)用DRAM。目前三星已完成HBM4內部量產(chǎn)批準，正籌備樣品生產(chǎn)以推進(jìn)客戶(hù)供應談判。樣品生產(chǎn)系大規模量產(chǎn)前向客戶(hù)提供少量試制芯片的關(guān)鍵階段。

【CNMO科技消息】CNMO從韓媒獲悉，三星正加速推進(jìn)京畿道平澤第五工廠(chǎng)（P5）的建設復工，旨在搶占新一代高帶寬內存（HBM）的先發(fā)產(chǎn)能。

英偉達預計明年一季度完成HBM4質(zhì)量驗證，并于下半年敲定Rubin系列供應商及訂單量。雖然SK海力士可能率先獲單，但業(yè)界正密切關(guān)注三星的訂單進(jìn)展速度。

三星

在向英偉達批量供應HBM3E后，三星計劃搶占第六代HBM4市場(chǎng)先機。HBM4將搭載于英偉達下一代AI加速GPU"Rubin"。盡管三星HBM研發(fā)進(jìn)度較SK海力士落后約三個(gè)月，但公司擬通過(guò)強化產(chǎn)能實(shí)現快速追趕。

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半導體行業(yè)人士指出："內存市場(chǎng)預計明年起逐步復蘇，HBM需求將持續增長(cháng)。三星此舉旨在預先確保產(chǎn)能以把握機遇。"KB證券分析師金東元預測："三星將通過(guò)明年一季度平澤園區擴建提升2026年HBM市場(chǎng)份額，且極有可能在四季度啟動(dòng)HBM4初期生產(chǎn)。"

據半導體行業(yè)消息，三星平澤園區P5工地工人已開(kāi)始密集搬運鋼結構并接受安全培訓，預示全面施工即將啟動(dòng)。公司計劃最早于下月重啟投資并動(dòng)工。該項目原定去年啟動(dòng)，但因半導體市場(chǎng)惡化而延期。

據悉，三星擬通過(guò)P5擴建提升HBM供應能力。HBM作為垂直堆疊多塊DRAM的高性能內存，可大幅提升數據處理速度。當前市場(chǎng)主導產(chǎn)品為第五代HBM3E（應用于英偉達Blackwell芯片），三星預計本月通過(guò)其質(zhì)量驗證。

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