三星宣布聯(lián)合發(fā)現一種稱(chēng)為非晶氮化硼(a-BN)的新材料。三星高級技術(shù)學(xué)院(SAIT)的研究人員與蔚山國立科學(xué)技術(shù)學(xué)院(UNIST)和劍橋大學(xué)合作進(jìn)行了這項發(fā)現。合作者在《自然》雜志上發(fā)表了他們的發(fā)現，并相信這種材料將“加速下一代半導體的問(wèn)世”。

三星在解釋新發(fā)現的非晶態(tài)氮化硼時(shí)說(shuō)，它由具有非晶態(tài)分子結構的硼和氮原子組成。這家韓國公司表示，這種新材料源自白色石墨烯，但不同的分子結構使a-BN與白色石墨烯“獨特”。

三星表示，a-BN有望被廣泛用于DRAM和NAND解決方案中，因為它能夠最大程度地減少電氣干擾，并且可以在相對較低的400°C溫度下以晶圓級生長(cháng)。

SAIT的石墨烯項目負責人兼首席研究員Shin Hyeon-Jin Shin在評論該材料時(shí)說(shuō)：

為了增強石墨烯與基于硅的半導體工藝的兼容性，應該在低于400°C的溫度下在半導體襯底上進(jìn)行晶圓級石墨烯生長(cháng)。我們還將繼續努力，將石墨烯的應用范圍擴展到半導體以外的領(lǐng)域。”

該公司沒(méi)有透露何時(shí)開(kāi)始在硬件產(chǎn)品中使用這種新材料的日期，但確實(shí)表示將在半導體，特別是大型服務(wù)器的下一代存儲解決方案中將其應用于半導體，特別是DRAM和NAND解決方案。