每天在移動(dòng)處理器和臺式機處理器上取得更大進(jìn)步的公司將繼續以其開(kāi)發(fā)的技術(shù)挑戰物理定律。臺積電提出了2nm MBCFET技術(shù)。
多虧了MBCFET(多橋溝道FET)，借助新開(kāi)發(fā)的技術(shù)，設法將晶體管的生產(chǎn)降低到3nm的公司取得了更好的結果。GizChina宣布，由于TMSC進(jìn)行的研究，能源效率提高了2nm。
該系統是首次使用非FinFET節點(diǎn)創(chuàng )建的，預計將在2023年下半年投入量產(chǎn)。與5nm和3nm技術(shù)不同，TMSC將使用類(lèi)似MBCFET的設計，并將大大增加得益于先進(jìn)的技術(shù)，晶體管的性能得以提高。
MBCFET晶體管采用GAAFET(全能門(mén))設計方法制造，以減少功率損耗并提高效率。三星和英特爾不久前宣布，他們將使用MBCFET技術(shù)生產(chǎn)其新處理器。
分析人士認為，用MBCFET生產(chǎn)的處理器將產(chǎn)生比電池性能更好的結果。
