三星通過(guò)eUFS 3.1將移動(dòng)存儲距離NVMe速度提高了近一步

2020-03-18 17:01:08    來(lái)源：    作者：

最新的移動(dòng)存儲標準針對8K視頻和大圖像文件進(jìn)行了優(yōu)化。隨著(zhù)順序寫(xiě)入速度提高了將近3倍，用戶(hù)很快就能在1.5分鐘內傳輸100 GB的文件?？傮w響應速度和應用程序加載時(shí)間也將提高多達60%。

通過(guò)eUFS 3.1將移動(dòng)存儲距離NVMe速度提高了近一步

作為世界上最大的多功能芯片制造商，三星一直在推動(dòng)各個(gè)領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步。這家韓國巨頭可能沒(méi)有最快的移動(dòng)SoC或最佳制造節點(diǎn)，但在LPDDR RAM芯片，圖像傳感器或存儲芯片方面，它始終領(lǐng)先競爭對手。說(shuō)到存儲內存，三星最近宣布已開(kāi)始生產(chǎn)eUFS 3.1芯片，該芯片不久將集成在旗艦手機中。

UFS 3.0速度已經(jīng)相當快了，但是三星現在正在通過(guò)針對8K視頻和大尺寸圖像文件進(jìn)行了優(yōu)化的嵌入式版本來(lái)提高賭注。盡管讀取速度在2.1 GB / s不變，但改進(jìn)的標準將寫(xiě)入速度限制在1.2 GB / s的速度提高了三倍，因此傳輸速度將很快突破1 GB / s，用戶(hù)將能夠在其中移動(dòng)100 GB的數據。大約1.5分鐘。隨機讀取/寫(xiě)入速度也得到了提高，讀取速度為100,000 IOPS，寫(xiě)入速度為70,000 IOPS，這將使一般響應速度和加載時(shí)間提高60%。

三星將提供512 GB，256 GB和128 GB兩種版本的eUFS 3.1芯片，這意味著(zhù)該新標準也有可能在中端手持設備中采用。目前，這些芯片僅在中國西安的第5代V-NAND存儲器工廠(chǎng)生產(chǎn)，三星計劃擴大其韓國平澤工廠(chǎng)的批量生產(chǎn)，該工廠(chǎng)將使用第6代V-NAND存儲器。

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