英特爾在半導體工藝中的10nm生產(chǎn)可能是一個(gè)重要標志，表明它將不如22nm和14nm生產(chǎn)。此前，業(yè)界曾多次報道英特爾還將把芯片外包給臺積電。最新消息稱(chēng)，英特爾還將在2022年為3nm供電。
據業(yè)內消息稱(chēng)，預計英特爾將在2021年大規模使用臺積電的6nmn工藝，目前正在制作掩膜。
英特爾將在2022年進(jìn)一步使用臺積電的3nm工藝。
這家電話(huà)芯片制造商在較早的一次披露中指出，英特爾將從2021年開(kāi)始主要外包GPU和芯片組，并警告蘋(píng)果，希思，英特爾和AMD在2021年將非常緊張。
如果英特爾真的想擴展外包，那么除了已經(jīng)部分外包的芯片組之外，第一個(gè)就是GPU，因為GPU比CPU制造更簡(jiǎn)單，而臺積電在GPU制造方面也有很多經(jīng)驗。
結合先前的信息，英特爾Xe架構獨特的DG1使用自己的10nm工藝制造，該工藝于今年年底推出，具有96套EU執行單元，總共768核，基本頻率為1GHz，加速頻率為1.5 GHz，1MB二級緩存和3GB內存，TDP為25W。
預計dG1的性能與GTX950相似，比GTX 1050差15%，并且其總體定位還不足以適合節能領(lǐng)域，尤其是筆記本GPU。
DG1將緊隨其后的是DG2，這是一款高性能CPU，在爆炸之前dG2將使用7nm工藝的臺上建筑電源，現在看來(lái)應該是7nm修改版的6nm工藝。
但是英特爾自己的7nm工藝也將在2021年量產(chǎn)，官方已經(jīng)宣布，用于數據中心的Ponte Vecchio加速卡將使用其自己的7nm EUV工藝。
